Los semiconductores de carburo de silicio (SiC) son opciones innovadoras para mejorar la eficiencia, soportar temperaturas de funcionamiento más altas y reducir los costos en sus diseños de electrónica de potencia. Se pueden utilizar en una amplia gama de aplicaciones de alto voltaje y alta potencia en los segmentos del mercado industrial, automotriz, médico, aeroespacial, de defensa y de comunicaciones. Nuestros MOSFET de SiC de próxima generación y diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC están diseñados con una capacidad de conmutación inductiva (UIS) de alta repetición y un excelente blindaje de óxido de puerta e integridad de canal para una operación robusta. Nuestro SiC MOSFET y SiC SBD se puede emparejar para su uso en módulos de potencia con varias topologías.
